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    包装方式
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    栅极电荷: 30nC@10V
    当前匹配商品:1500+
    商品信息
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    ST Mosfet场效应管 STP11NM60 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP11NM60 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP11NM60

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:160W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5418DU-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5418DU-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF10N40D-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF10N40D-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF10N40D-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:526pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@5A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA80R360P7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA80R360P7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA80R360P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:3.5V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:930pF@500V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC350N20NSFDATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC350N20NSFDATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC350N20NSFDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2410pF@100V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@35A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP13NM60N 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP13NM60N 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP13NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:790pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS010N10MCLTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS010N10MCLTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS010N10MCLTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€52W

    阈值电压:3V@85µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2150pF@50V

    连续漏极电流:10.7A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.6mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454DP-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454DP-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7454DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF6N80C 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF6N80C 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF6N80C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:51W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1310pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@2.75A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH14N85X 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH14N85X 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH14N85X

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460W

    阈值电压:5.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1043pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@500mA,10V

    漏源电压:850V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP7N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP7N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP7N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA36N30P3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA36N30P3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFA36N30P3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:347W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    输入电容:2040pF@25V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@18A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC70N08S5N074ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2080pF@40V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.4mΩ@35A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP8N50D-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP8N50D-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP8N50D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:527pF@100V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7818DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:135mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF7N60 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF7N60 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF7N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:31W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:920pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@50V

    连续漏极电流:10.9A€38.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHP27NQ11T,127 起订596个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHP27NQ11T,127 起订596个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":2000,"18+":2000,"22+":2300,"9999":546}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHP27NQ11T,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1240pF@25V

    连续漏极电流:27.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@14A,10V

    漏源电压:110V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB12NM50ND 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB12NM50ND 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB12NM50ND

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T2_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T2_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ850EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@30V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@50V

    连续漏极电流:10.9A€38.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSF134N10NJ3GXUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSF134N10NJ3GXUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSF134N10NJ3GXUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:2.2W€43W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@50V

    连续漏极电流:9A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB13NM60N 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB13NM60N 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB13NM60N

    工作温度:150℃

    功率:90W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:790pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS86380-F085 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS86380-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1440pF@40V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H009SPS-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H009SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2085pF@50V

    连续漏极电流:14A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS606BDN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS606BDN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS606BDN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@50V

    连续漏极电流:9.4A€35.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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