品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:509pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":530700,"15+":180000,"21+":3000,"9999":517}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3477-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW4N06A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:509pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":5846,"17+":68000,"18+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3477-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€28W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":530700,"15+":180000,"21+":3000,"9999":517}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3477-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€28W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€28W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€28W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:509pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:509pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:509pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€28W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6421-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW4N06A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:509pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€28W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€28W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":5846,"17+":68000,"18+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3477-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJW4N06A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:509pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17308Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@15V
连续漏极电流:14A€44A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@10A,8V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: