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    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ18N10S5L420ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA68EP-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA68EP-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA68EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:92mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA68EP-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA68EP-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA68EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:92mΩ@4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订464个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订464个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":1820,"20+":1940,"22+":4241,"23+":11785}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ18N10S5L420ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQU2N50BTU-WS 起订415个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQU2N50BTU-WS 起订415个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":11278,"MI+":15120}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQU2N50BTU-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:3.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:230pF@25V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3Ω@800mA,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB6N60M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB6N60M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB6N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:232pF@100V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD6N60M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD6N60M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD6N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:232pF@100V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF6N60M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STF6N60M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF6N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:232pF@100V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL7N6F7 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STL7N6F7 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL7N6F7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA446DJ-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA446DJ-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA446DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:230pF@75V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:177mΩ@3A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-30MLC,115 起订17个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN013-30MLC,115 起订17个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN013-30MLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:1.95V@1mA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:519pF@15V

    连续漏极电流:39A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6003KND3TL1 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6003KND3TL1

    工作温度:150℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@1mA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:185pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 TN2404K-T1-E3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 TN2404K-T1-E3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2404K-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440DV-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440DV-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3440DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB6N60M2 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB6N60M2 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB6N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:232pF@100V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 TN2404K-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 TN2404K-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2404K-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L050SNTL1 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L050SNTL1 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L050SNTL1

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:109mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSD050N06TL 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSD050N06TL 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSD050N06TL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:109mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440DV-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440DV-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1841

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3440DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 TN2404K-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 TN2404K-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2404K-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 TN2404K-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 TN2404K-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2404K-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L050SNFRATL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L050SNFRATL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L050SNFRATL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:109mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ18N10S5L420ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ18N10S5L420ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:30W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@50V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C478NLTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C478NLTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:20W

    阈值电压:2.2V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 TN2404K-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 TN2404K-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2404K-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL7N6F7 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 STL7N6F7 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL7N6F7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSD050N06TL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSD050N06TL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSD050N06TL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:109mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 TN2404K-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 TN2404K-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2404K-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:240V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440DV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440DV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3440DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440DV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3440DV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3440DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:375mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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