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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：104W
阈值电压：2.1V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD134N4F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：134W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：104W
阈值电压：2.1V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：104W
阈值电压：2.1V@300µA
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栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN2R304PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
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功率：104W
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：STD134N4F7AG
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功率：134W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
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ECCN：EAR99
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输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
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漏源电压：30V
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功率：630mW€104W
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连续漏极电流：80A
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连续漏极电流：80A
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漏源电压：40V
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连续漏极电流：80A
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栅极电荷：41nC@10V
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输入电容：3600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
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功率：104W
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栅极电荷：41nC@10V
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输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：3600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
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输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
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功率：134W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：104W
阈值电压：2.1V@300µA
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输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
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规格型号(MPN)：TPN2R304PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD134N4F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：134W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
连续漏极电流：80A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：104W
类型：N沟道
工作温度：175℃
阈值电压：2.1V@300µA
输入电容：3900pF@15V
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
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功率：104W
阈值电压：2.1V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ST
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD134N4F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：134W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R304PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN2R304PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€104W
阈值电压：2.4V@300µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1R603PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：104W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3900pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@40A，10V
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