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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC010N06NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.3V@147µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：39A€330A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC0D9N04CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8500pF@20V
连续漏极电流：313A
类型：N沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€139W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：46A€302A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC0D9N04CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8500pF@20V
连续漏极电流：313A
类型：N沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：647，"22+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：46A€302A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC010N06NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.3V@147µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：39A€330A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC010N06NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.3V@147µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：39A€330A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC010N06NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.3V@147µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：39A€330A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLTT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：46A€302A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC0D9N04CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8500pF@20V
连续漏极电流：313A
类型：N沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC012N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.3V@147µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：36A€306A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：46A€302A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€139W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：46A€302A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：46A€302A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC0D9N04CL
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8500pF@20V
连续漏极电流：313A
类型：N沟道
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：46A€302A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C410NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：50A€330A
类型：N沟道
导通电阻：0.82mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ550N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.8mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ550N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.8mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSJ550N10TL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6150pF@25V
连续漏极电流：55A
类型：N沟道
导通电阻：16.8mΩ@27.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：647，"22+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：46A€302A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€139W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：46A€302A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：647，"22+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：46A€302A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€139W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：46A€302A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：647，"22+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：46A€302A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C410NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€139W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8862pF@25V
连续漏极电流：46A€302A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
