采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1583}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4066-DL-E
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：202}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4065-DL-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTL66912
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€500W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12500pF@50V
连续漏极电流：49A€380A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86561-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13650pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTL66912
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€500W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12500pF@50V
连续漏极电流：49A€380A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0110N60
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13650pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3140}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4065-DL-1EX
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12200pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0110N60
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13650pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTL66912
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€500W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12500pF@50V
连续漏极电流：49A€380A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0110N60
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13650pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTL66912
工作温度：-55℃~175℃
功率：8.3W€500W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12500pF@50V
连续漏极电流：49A€380A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86561-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13650pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0110N60
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13650pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1583}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4066-DL-E
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86561-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13650pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA00DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11700pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1583}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4066-DL-E
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
