采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA11N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3002pF@125V
连续漏极电流：63.5A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA11N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP11N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3002pF@125V
连续漏极电流：63.5A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP11N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA11N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
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输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3002pF@125V
连续漏极电流：63.5A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@30A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86367-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA11N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA11N80E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：34W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1670pF@100V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
