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    MCC Mosfet场效应管 MSJPF20N65-BP 起订1个装
    MCC Mosfet场效应管 MSJPF20N65-BP 起订1个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJPF20N65-BP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:31.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH3R203NL,L1Q 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH3R203NL,L1Q 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH3R203NL,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€44W

    阈值电压:2.3V@300µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@15V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@23.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3410EV-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3410EV-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3410EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1005pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD19537Q3 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD19537Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€83W

    阈值电压:3.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R0-40PS,127 起订499个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R0-40PS,127 起订499个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":1000,"21+":1600,"9999":711}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R0-40PS,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:86W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1262pF@12V

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC265N10LSFGATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC265N10LSFGATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC265N10LSFGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:2.4V@43µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@50V

    连续漏极电流:6.5A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:26.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260ET150 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260ET150 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86260ET150

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@75V

    连续漏极电流:5.4A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260 起订302个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260 起订302个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1191,"23+":81}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86260

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@75V

    连续漏极电流:5.4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN7R104NC,L1XHQ 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPN7R104NC,L1XHQ 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPN7R104NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:840mW€65W

    阈值电压:2.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R0-40BS,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN8R0-40BS,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN8R0-40BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:86W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1262pF@12V

    连续漏极电流:77A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.6mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP150N10A-F102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP150N10A-F102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP150N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP150N10A-F102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP150N10A-F102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP150N10A-F102

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:91W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1440pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4848DY-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4848DY-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4848DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA80ENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA80ENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA80ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1358pF@40V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86260 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86260

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€54W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@75V

    连续漏极电流:5.4A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC3612-L701 起订893个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC3612-L701 起订893个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":4731,"21+":5201}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC3612-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@50V

    连续漏极电流:3.3A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025LK3-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H025LK3-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H025LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1477pF@50V

    连续漏极电流:47.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NF10T4 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NF10T4 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NF10T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@25V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M11-40HX 起订1657个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M11-40HX 起订1657个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":93000,"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M11-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1345pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7898DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65K 起订7个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GC11N65K 起订7个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GC11N65K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:901pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4848DY-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4848DY-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4848DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSB280N15NZ3GXUMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSB280N15NZ3GXUMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSB280N15NZ3GXUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:2.8W€57W

    阈值电压:4V@60µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@75V

    连续漏极电流:9A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@30A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN2R703NL,L1Q 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN2R703NL,L1Q 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN2R703NL,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:700mW€42W

    阈值电压:2.3V@300µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@15V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@22.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC3612-L701 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC3612-L701 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC3612-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@50V

    连续漏极电流:3.3A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@3.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7898DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7898DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS94DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS94DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS94DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@100V

    连续漏极电流:5.4A€19.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:75mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ068N06NSATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ068N06NSATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ068N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W€46W

    阈值电压:3.3V@20µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@30V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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