品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB070N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@4.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3090pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP190N65F
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3225pF@25V
连续漏极电流:20.6A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":80}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH067N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@4.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3090pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1350pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB070N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@4.4mA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3090pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBE30STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":101,"21+":190}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH190N65F-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3225pF@100V
连续漏极电流:20.6A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB070N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@4.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3090pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBE30STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP120N075T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@60A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ50N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:400W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:78nC@10V
输入电容:4000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N10S5N040ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.8V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBE30PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBE30GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":4597}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD036N04LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"05+":93,"11+":4987,"9999":100}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK653R7-30C,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4707pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBE30LPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBE30PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB66916L
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W€277W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6180pF@50V
连续漏极电流:35.5A€120A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP067N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@4.4mA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3090pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBE30LPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R2-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:215W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5093pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.25mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1350pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1350pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIBE30GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1.3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB070N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@4.4mA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3090pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD036N04LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2V@45µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@20V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBE30PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB15N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:180W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1350pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: