采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@125V
连续漏极电流：2.8A€4.1A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7434ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€54.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@125V
连续漏极电流：3.7A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@3.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7434ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€54.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@125V
连续漏极电流：3.7A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@3.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：934pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：459897}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4979NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.38W€26.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：837pF@15V
连续漏极电流：9.4A€41A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KND3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：5V@230µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@125V
连续漏极电流：2.8A€4.1A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@125V
连续漏极电流：2.8A€4.1A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@125V
连续漏极电流：2.8A€4.1A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KND3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：5V@230µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：94W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@125V
连续漏极电流：2.8A€4.1A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7434ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€54.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@125V
连续漏极电流：3.7A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@3.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：614pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009KNJTL
工作温度：-55℃~150℃
功率：94W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KND3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：5V@230µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：934pF@50V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7434ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€54.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@125V
连续漏极电流：3.7A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@3.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7434ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€54.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@125V
连续漏极电流：3.7A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@3.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KND3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：5V@230µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KND3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：5V@230µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KND3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：5V@230µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@125V
连续漏极电流：2.8A€4.1A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@125V
连续漏极电流：2.8A€4.1A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7434ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€54.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@125V
连续漏极电流：3.7A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@3.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4434ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@125V
连续漏极电流：2.8A€4.1A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@2.8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7434ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€54.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@125V
连续漏极电流：3.7A€12.3A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@3.7A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
