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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032NE2LSATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032NE2LSATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC032NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€78W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@12V

    连续漏极电流:22A€84A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2002A 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2002A 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2002A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:733pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:540mΩ@1A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H848NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H848NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H848NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€73W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@40V

    连续漏极电流:13A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10950E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@25V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:162mΩ@12A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD02N80C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRPBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRPBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STU12N60M2 起订35个装
    ST Mosfet场效应管 STU12N60M2 起订35个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STU12N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:538pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD120PBF 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD120PBF 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD120PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@780mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10950E_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10950E_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@25V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:162mΩ@12A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3404LQ-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3404LQ-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3404LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:720mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:498pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS5D3N04CTWG 起订798个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMYS5D3N04CTWG 起订798个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2706}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMYS5D3N04CTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€50W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@25V

    连续漏极电流:19A€71A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD80460E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD80460E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD80460E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:44.7mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU45N10-TP 起订3个装
    MCC Mosfet场效应管 MCU45N10-TP 起订3个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU45N10-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:72W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@50V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120TRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF520PBF-BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF520PBF-BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF520PBF-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD80460E-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD80460E-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD80460E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65.2W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@50V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:44.7mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS92DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS92DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.1W€65.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@125V

    连续漏极电流:3.4A€12.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:173mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H848NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6H848NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6H848NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€73W

    阈值电压:4V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1180pF@40V

    连续漏极电流:13A€57A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032NE2LSATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032NE2LSATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC032NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€78W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@12V

    连续漏极电流:22A€84A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M11-40HX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M11-40HX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M11-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:3.6V@1mA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1022pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC026NE2LS5ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC026NE2LS5ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC026NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€29W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@12V

    连续漏极电流:24A€82A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1446-H 起订1036个装
    onsemi Mosfet场效应管 SFT1446-H 起订1036个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2000}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SFT1446-H

    工作温度:150℃

    功率:1W€23W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:750pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:51mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86104 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86104

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€73W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:923pF@50V

    连续漏极电流:7A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC38N10YHE3-TP 起订7个装
    MCC Mosfet场效应管 MCAC38N10YHE3-TP 起订7个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC38N10YHE3-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120PBF 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120PBF 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK30E06N1,S1X 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@30V

    连续漏极电流:43A

    类型:N沟道

    导通电阻:15mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032NE2LSATMA1 起订1099个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC032NE2LSATMA1 起订1099个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC032NE2LSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€78W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@12V

    连续漏极电流:22A€84A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR120TRPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR120TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€42W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5A65D(STA4,Q,M) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK5A65D(STA4,Q,M) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK5A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:40W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.43Ω@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF520PBF-BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF520PBF-BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF520PBF-BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:360pF@25V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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