采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39J60W，S1VQ
工作温度：150℃
功率：270W
阈值电压：3.7V@1.9mA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL57N65M5
工作温度：150℃
功率：2.8W€189W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@100V
连续漏极电流：4.3A€22.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZC17
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2720pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3.7V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL57N65M5
工作温度：150℃
功率：2.8W€189W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@100V
连续漏极电流：4.3A€22.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL57N65M5
工作温度：150℃
功率：2.8W€189W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@100V
连续漏极电流：4.3A€22.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL57N65M5
工作温度：150℃
功率：2.8W€189W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@100V
连续漏极电流：4.3A€22.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZC17
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2720pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：554}
包装规格(MPQ)：105psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3431-AZ
工作温度：150℃
功率：1.5W€100W
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6100pF@10V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@42A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39N60W，S1VF
工作温度：150℃
功率：270W
阈值电压：3.7V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL57N65M5
工作温度：150℃
功率：2.8W€189W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@100V
连续漏极电流：4.3A€22.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：105psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3431-AZ
工作温度：150℃
功率：1.5W€100W
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6100pF@10V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@42A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL57N65M5
工作温度：150℃
功率：2.8W€189W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@100V
连续漏极电流：4.3A€22.5A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZC17
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2720pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3.7V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3.7V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZC17
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2720pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：554}
包装规格(MPQ)：105psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3431-AZ
工作温度：150℃
功率：1.5W€100W
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6100pF@10V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@42A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：554}
包装规格(MPQ)：105psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3431-AZ
工作温度：150℃
功率：1.5W€100W
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6100pF@10V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@42A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：554}
包装规格(MPQ)：105psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3431-AZ
工作温度：150℃
功率：1.5W€100W
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6100pF@10V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@42A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：554}
包装规格(MPQ)：105psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3431-AZ
工作温度：150℃
功率：1.5W€100W
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：散装
输入电容：6100pF@10V
连续漏极电流：83A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@42A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：3.7V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39J60W，S1VQ
工作温度：150℃
功率：270W
阈值电压：3.7V@1.9mA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39N60W，S1VF
工作温度：150℃
功率：270W
阈值电压：3.7V@1.9mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4100pF@300V
连续漏极电流：38.8A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@19.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZC17
工作温度：150℃
功率：120W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2720pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL57N65M5
连续漏极电流：4.3A€22.5A
输入电容：4200pF@100V
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：69mΩ@20A，10V
工作温度：150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
漏源电压：650V
功率：2.8W€189W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
