品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR402DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9100pF@20V
连续漏极电流:64.6A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24.5pF@20V
连续漏极电流:320mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTL66401
工作温度:-55℃~175℃
功率:8.3W€300W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:340nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19180pF@20V
连续漏极电流:82A€400A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:37A€238A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16410Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@12.5V
连续漏极电流:16A€59A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@17A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18531Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€156W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@30V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4166NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16412Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:3.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@12.5V
连续漏极电流:14A€52A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC022N04LS6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€79W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@20V
连续漏极电流:27A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR638DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:204nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:0.88mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.25W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":11782}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4965NFTAG
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2075pF@15V
连续漏极电流:16.3A€64A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR7843TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4380pF@15V
连续漏极电流:161A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC007N04LS6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:94nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR472ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€14.7W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@15V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC012N04LM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4600pF@20V
连续漏极电流:37A€238A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18503Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€120W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2640pF@20V
连续漏极电流:19A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:274A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR7833TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4010pF@15V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18531Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€156W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3840pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:29.7A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.83mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS4166NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@15V
连续漏极电流:4.9A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@4.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC007N04LS6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:94nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@20V
连续漏极电流:381A
类型:N沟道
导通电阻:0.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS32302
工作温度:-55℃~150℃
功率:119W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6060pF@15V
连续漏极电流:56A€220A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR7833TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4010pF@15V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3008SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3690pF@10V
连续漏极电流:17.6A€62A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@13.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6.25W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@4.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D1SFB-7B
工作温度:-55℃~150℃
功率:470mW
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:80pF@40V
连续漏极电流:410mA
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@40mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: