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    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 2.1V@250µA
    当前匹配商品:1700+
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    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C688NLT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:18W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR140DP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR140DP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR140DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8150pF@10V

    连续漏极电流:71.9A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.67mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA24DP-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA24DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:26nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX 起订67个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX 起订67个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKWX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002NXAKR 起订118个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002NXAKR 起订118个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002NXAKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:265mW€1.33W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:0.43nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@10V

    连续漏极电流:190mA€300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4C12NTAG 起订1191个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4C12NTAG 起订1191个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS4C12NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3007LSSQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3007LSSQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3007LSSQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2714pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKMBYL 起订10000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKMBYL 起订10000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKMBYL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW€3.1W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF 起订9个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF 起订9个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LXHF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3070SSN-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3070SSN-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3070SSN-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:697pF@15V

    连续漏极电流:4.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:40mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3030LFG-7 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3030LFG-7 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3030LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:17.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:751pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9D23-40EX 起订8个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9D23-40EX 起订8个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9D23-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:15W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:637pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA20DP-T1-RE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA20DP-T1-RE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10850pF@10V

    连续漏极电流:81.7A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订17个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订17个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR140DP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR140DP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR140DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8150pF@10V

    连续漏极电流:71.9A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.67mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K7002CFU,LF 起订18个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K7002CFU,LF 起订18个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:170mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C59NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C59NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C59NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1252pF@15V

    连续漏极电流:9A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002NXBKR 起订80个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002NXBKR 起订80个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002NXBKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA€330mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C027NT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C027NT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C027NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.51W€25.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1670pF@15V

    连续漏极电流:16.4A€52A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€30.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:11A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F 起订13个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72CTC,L3F 起订13个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72CTC,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17pF@10V

    连续漏极电流:150mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKWX 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKWX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW€1.67W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4114DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4114DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3700pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C06NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C06NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:770mW€30.5W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1683pF@15V

    连续漏极电流:11A€69A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4H05NTWG 起订564个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4H05NTWG 起订564个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":217616}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4H05NTWG

    工作温度:150℃

    功率:2.66W€46.3W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1205pF@12V

    连续漏极电流:22.4A€94A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C13NT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C13NT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C13NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@15V

    连续漏极电流:7.2A€38A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16404Q5A 起订5个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16404Q5A 起订5个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16404Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@12.5V

    连续漏极电流:21A€81A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C632NLT4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C632NLT4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD5C632NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4W€115W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@25V

    连续漏极电流:29A€155A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BK,215 起订201个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BK,215 起订201个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002BK,215

    工作温度:150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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