品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y4R4-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2781pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R380E6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@12V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7678
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@15V
连续漏极电流:17.5A€26A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC018NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@12V
连续漏极电流:29A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R400CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:118W
阈值电压:3.5V@320µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:15.1A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@3.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB12NM50T4
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@50µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:350mΩ@6A,10V
漏源电压:550V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7853TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@25V
连续漏极电流:8.3A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@8.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7853TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@25V
连续漏极电流:8.3A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@8.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6N022ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2421pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.26mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2242pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT34M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2242pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7853TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@25V
连续漏极电流:8.3A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@8.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD25NF20
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC014NE2LSIATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€74W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@12V
连续漏极电流:33A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":15987,"23+":2933}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ018NE2LSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@12V
连续漏极电流:23A€40A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@30A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R6-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2435pF@15V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB125A60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2993pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y4R4-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2781pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7853TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.9V@100µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1640pF@25V
连续漏极电流:8.3A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@8.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":3263,"13+":12860}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R380C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:10.6A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@3.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD65R400CEAUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:118W
阈值电压:3.5V@320µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@100V
连续漏极电流:15.1A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@3.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R5-60YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2370pF@30V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AOB125A60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2993pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@14A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: