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    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 125nC@10V
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D5N08H 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D5N08H 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D5N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€258W

    阈值电压:4V@490µA

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8220pF@40V

    连续漏极电流:38A€273A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@90A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS002N08MC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS002N08MC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMTS002N08MC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4V@540µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8900pF@40V

    连续漏极电流:29A€229A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@90A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IST026N10NM5AUMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IST026N10NM5AUMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IST026N10NM5AUMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€313W

    阈值电压:3.8V@148µA

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6300pF@50V

    连续漏极电流:27A€248A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD97N06-6M3L_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD97N06-6M3L_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD97N06-6M3L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6060pF@25V

    连续漏极电流:97A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS3306TRL 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS3306TRL 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFS3306TRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:4V@150µA

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4520pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS3306TRL 起订169个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFS3306TRL 起订169个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":7800}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFS3306TRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4520pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D5N08H 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D5N08H 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D5N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€258W

    阈值电压:4V@490µA

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8220pF@40V

    连续漏极电流:38A€273A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@90A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RCJ700N20TL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RCJ700N20TL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RCJ700N20TL

    工作温度:150℃

    功率:1.56W€40W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:42.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7880ADP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7880ADP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7880ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D5N08H 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMTS1D5N08H 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMTS1D5N08H

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W€258W

    阈值电压:4V@490µA

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8220pF@40V

    连续漏极电流:38A€273A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@90A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订300个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订300个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1600,"23+":111}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS002N08MC 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS002N08MC 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMTS002N08MC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4V@540µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8900pF@40V

    连续漏极电流:29A€229A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@90A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7880ADP-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7880ADP-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7880ADP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5600pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RCJ700N20TL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RCJ700N20TL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RCJ700N20TL

    工作温度:150℃

    功率:1.56W€40W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:42.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9407L-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9407L-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9407L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6700pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IST026N10NM5AUMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IST026N10NM5AUMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IST026N10NM5AUMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€313W

    阈值电压:3.8V@148µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6300pF@50V

    连续漏极电流:27A€248A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9407L-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9407L-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9407L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6700pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-100BS,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN7R0-100BS,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN7R0-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:269W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6686pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订25个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订25个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS1D5N08H 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS1D5N08H 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMTS1D5N08H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W€208W

    阈值电压:4V@490µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8220pF@40V

    连续漏极电流:36A€255A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@90A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS1D5N08H 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS1D5N08H 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMTS1D5N08H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W€208W

    阈值电压:4V@490µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8220pF@40V

    连续漏极电流:36A€255A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@90A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD97N06-6M3L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD97N06-6M3L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD97N06-6M3L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6060pF@25V

    连续漏极电流:97A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RCJ700N20TL 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RCJ700N20TL 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RCJ700N20TL

    工作温度:150℃

    功率:1.56W€40W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:42.7mΩ@35A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD97N06-6M3L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD97N06-6M3L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD97N06-6M3L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6060pF@25V

    连续漏极电流:97A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS1D5N08H 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS1D5N08H 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMTS1D5N08H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.2W€208W

    阈值电压:4V@490µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8220pF@40V

    连续漏极电流:36A€255A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@90A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK663R2-40C,118 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK663R2-40C,118 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":13,"18+":2735,"19+":3200,"MI+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK663R2-40C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:204W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8020pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IST026N10NM5AUMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IST026N10NM5AUMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IST026N10NM5AUMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€313W

    阈值电压:3.8V@148µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6300pF@50V

    连续漏极电流:27A€248A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN4R4-80BS,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS002N08MC 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS002N08MC 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMTS002N08MC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4V@540µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8900pF@40V

    连续漏极电流:29A€229A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@90A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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