品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC100N04S6L025ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2V@24µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2019pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.56mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS002N04CTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€85W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:27A€136A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH15H017SPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2344pF@75V
连续漏极电流:11A€61A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R102G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:141W
阈值电压:4V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@400V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:103W
阈值电压:4V@390µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1706pF@10V
连续漏极电流:12.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS4D1N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@25V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8012LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€30W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:9.5A€35A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS002N04CTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€85W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:27A€136A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1706pF@10V
连续漏极电流:12.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8012LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R125C7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:103W
阈值电压:4V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@400V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60N10S412ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:3.5V@46µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:12.2mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8012LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4105TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4126
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:7.5A€43A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4105TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@16A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4126
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:7.5A€43A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":576,"21+":4097,"22+":5247}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5810-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:72W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:7.4A€37A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1706pF@10V
连续漏极电流:12.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB26N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:169W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4130
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€52W
阈值电压:2.8V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@30V
连续漏极电流:6.5A€30A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8012LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€30W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:9.5A€35A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ039N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:3.3V@36µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@30V
连续漏极电流:18A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC196N10NSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@42µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@50V
连续漏极电流:8.5A€45A
类型:N沟道
导通电阻:19.6mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: