采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R105P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：137W
阈值电压：4V@530µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1952pF@400V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA06EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R0-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2712pF@30V
连续漏极电流：89A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD65N55F3
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R095C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA12DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W€31W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R099P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：117W
阈值电压：4V@530µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1952pF@400V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：99mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA06EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR24N15DTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@14A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP45N06VUK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2540pF@25V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@23A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR24N15DTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@14A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR24N15DTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@14A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPC100N04S52R8ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3.4V@30µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5690，"18+"：72000，"19+"：360}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7572S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€46W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2780pF@13V
连续漏极电流：23A€49A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@23A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R095C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB65R095C7ATMA2
工作温度：-55℃~150℃
功率：128W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2140pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@11.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD80N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：85W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3100pF@50V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK17V65W，LQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：3.5V@900µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：17.3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@8.7A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：11A€20A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ142EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：191W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2650pF@25V
连续漏极电流：167A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISA12ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2070pF@15V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8N90CTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：171W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@25V
连续漏极电流：6.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.9Ω@3.15A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7120ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@9.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5H419NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€89W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@20V
连续漏极电流：29A€155A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB23NM50N
工作温度：150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@8.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD65N55F3
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：11A€20A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
