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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB123N10N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：94W
阈值电压：3.5V@46µA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2500pF@50V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：12.3mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD482
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€100W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@50V
连续漏极电流：5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456CDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@50V
连续漏极电流：27.5A
类型：N沟道
导通电阻：23.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6290
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€208W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A€85A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN3310FTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ410EL-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7350pF@25V
连续漏极电流：135A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D6N10MCTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€291W
阈值电压：4V@650µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：106nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7630pF@50V
连续漏极电流：36A€273A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ18N10S5L420ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2.2V@8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N10NSFGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@110µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@50V
连续漏极电流：11.4A€90A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB6413ANT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@42A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPF042N10NF2SATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：3.8V@93µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@50V
连续漏极电流：21A€139A
类型：N沟道
导通电阻：4.25mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N10S402ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.5V@275µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14600pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86152
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3370pF@50V
连续漏极电流：14A€45A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS119NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@13µA
栅极电荷：0.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7456DDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€35.7W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：27.8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLS4030TRL7PP
工作温度：-55℃~175℃
功率：370W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11490pF@50V
连续漏极电流：190A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@110A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N10S312ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA68EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：92mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3662
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4620pF@50V
连续漏极电流：8.9A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.8mΩ@8.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR110TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@2.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-100YSEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3775pF@50V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT10H072LFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：228pF@50V
连续漏极电流：4.7A€20A
类型：N沟道
导通电阻：62mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4056DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：29.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@50V
连续漏极电流：11.1A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPTG014N10NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€375W
阈值电压：3.8V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：211nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@50V
连续漏极电流：37A€366A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4.4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@50V
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS012N10MDTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€62W
阈值电压：4V@78µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@50V
连续漏极电流：9.2A€45A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR540ZTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：91W
阈值电压：4V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1690pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H170SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：14.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870.7pF@25V
连续漏极电流：2.9A€8.5A
类型：N沟道
导通电阻：122mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR110TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@2.6A，5V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
