采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA06EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN016-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：148W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2404pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA06EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86184
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4V@110µA
栅极电荷：20nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SANKEN
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SKI06106
工作温度：150℃
功率：90W
阈值电压：2.5V@650µA
栅极电荷：38.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2520pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@28.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：861，"22+"：2853，"23+"：4876，"MI+"：2600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86184
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN016-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：148W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2404pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：241}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R5-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@15V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：953，"19+"：800，"21+"：33600}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7618-55，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN016-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：148W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2404pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN016-100BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：148W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2404pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R5-30MLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@15V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R1-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：894pF@15V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R1-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：894pF@15V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86184
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA06EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN9R1-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：52W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：894pF@15V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3710STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3130pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@28A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA06EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86184
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86184
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
