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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB40UNEZ 起订9个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB40UNEZ 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB40UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:556pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G 起订32个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G 起订32个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:3.9V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD03N60C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD03N60C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:3.9V@135µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR4501NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR4501NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV52ENEAR 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV52ENEAR 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV52ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:630mW€5.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:3.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FTA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FTA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1902TRPBF 起订9个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1902TRPBF 起订9个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLMS1902TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR4501NT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR4501NT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FTA 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FTA 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R1K4C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@100V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1503TRPBF 起订9个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1503TRPBF 起订9个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLMS1503TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1045UFR4-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1045UFR4-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R1K4C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@100V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ 起订30个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ 起订30个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB43UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3115UDM-7 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3115UDM-7 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3115UDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:476pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB43UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB40UNEZ 起订25个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB40UNEZ 起订25个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB40UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:11.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:556pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1503TRPBF 起订8个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1503TRPBF 起订8个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLMS1503TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0009TXDQS#H1 起订300个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0009TXDQS#H1 起订300个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQA0009TXDQS#H1

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:800mV@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76pF@0V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN3A14FTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN3A14FTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:448pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0009TXDQS#H1 起订123个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0009TXDQS#H1 起订123个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3100}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQA0009TXDQS#H1

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:800mV@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:76pF@0V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS3157NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTJS3157NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTJS3157NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1045UFR4-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1045UFR4-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1045UFR4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS606NH6327XTSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS606NH6327XTSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS606NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:2.3V@15µA

    栅极电荷:5.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:657pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV52ENER 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV52ENER 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV52ENER

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:630mW€5.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV52ENEAR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV52ENEAR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV52ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:630mW€5.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1503TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLMS1503TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLMS1503TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@25V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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