品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH4011SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:25.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1405pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1477pF@50V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2051pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@30V
连续漏极电流:16.8A€70A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2051pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2051pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17552Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:15A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:13.3A€57A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@30V
连续漏极电流:16.8A€70A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:13.3A€57A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2051pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@30V
连续漏极电流:16.8A€70A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@30V
连续漏极电流:16.8A€70A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2051pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17552Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:1.9V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:15A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17552Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:15A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17551Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:13.3A€57A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:13.3A€57A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:13.3A€57A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@30V
连续漏极电流:16.8A€70A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2051pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:13.3A€57A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17552Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:1.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@15V
连续漏极电流:15A€60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: