品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C673NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI10526
工作温度:150℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2.5V@350µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1530pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:47.7mΩ@9.3A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI07301
工作温度:150℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2.5V@350µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@12.4A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS027N10MCLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:3V@38µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:7.4A€28A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS027N10MCLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:3V@38µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:7.4A€28A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS027N10MCLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:3V@38µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:7.4A€28A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI07301
工作温度:150℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2.5V@350µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@12.4A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C673NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C673NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS027N10MCLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:3V@38µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:7.4A€28A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C673NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C673NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H860NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@40V
连续漏极电流:8A€30A
类型:N沟道
导通电阻:21.1mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C673NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C673NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C673NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C673NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C673NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C673NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C673NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C673NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI03061
工作温度:150℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2.5V@350µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@31A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS027N10MCLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:3V@38µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:7.4A€28A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI04076
工作温度:150℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2.5V@350µA
栅极电荷:24.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1470pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@23.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GKI07301
工作温度:150℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2.5V@350µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1580pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:23.2mΩ@12.4A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存: