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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC010N06NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.3V@147µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：39A€330A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC010N06NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.3V@147µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：39A€330A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC010N06NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.3V@147µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：39A€330A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC010N06NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.3V@147µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：39A€330A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC012N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.3V@147µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：36A€306A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC012N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.3V@147µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：36A€306A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC010N06NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.3V@147µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：39A€330A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC012N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.3V@147µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：36A€306A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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品牌：INFINEON
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC012N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.3V@147µA
栅极电荷：143nC@10V
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连续漏极电流：36A€306A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ISC010N06NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.3V@147µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：39A€330A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC012N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.3V@147µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：36A€306A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC012N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.3V@147µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：36A€306A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1744，"21+"：853，"22+"：8176，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC012N06NSATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.3V@147µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：36A€306A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC010N06NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.3V@147µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：39A€330A
类型：N沟道
导通电阻：1.05mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1744，"21+"：853，"22+"：8176，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1744，"21+"：853，"22+"：8176，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1744，"21+"：853，"22+"：8176，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1744，"21+"：853，"22+"：8176，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1744，"21+"：853，"22+"：8176，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS001N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.2W€284W
阈值电压：4V@562µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：143nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11575pF@30V
连续漏极电流：51A€422A
类型：N沟道
导通电阻：0.9mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
