品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1L-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KT-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN63D1LW-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:310mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10LFTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10LFTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KW-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXN012-60QLJ
工作温度:-55℃~150℃
功率:34.7W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:18.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:957pF@30V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXN012-60QLJ
工作温度:-55℃~150℃
功率:34.7W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:18.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:957pF@30V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXN012-60QLJ
工作温度:-55℃~150℃
功率:34.7W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:957pF@30V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXN012-60QLJ
工作温度:-55℃~150℃
功率:34.7W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:957pF@30V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L080SNTL1
工作温度:-55℃~150℃
功率:15W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10KN3-G-P002
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN62D0SFD-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:430mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.87nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30.2pF@25V
连续漏极电流:540mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1739
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KW-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: