品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN230ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:625mW€5.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@30V
连续漏极电流:1.8A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN120ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:670mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D125-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@30V
连续漏极电流:2.7A€7.4A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@2.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D210-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@30V
连续漏极电流:2.1A€5.7A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV37ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV37ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV37ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV55ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:478mW€8.36W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:646pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN230ENEX
工作温度:150℃
功率:475mW€3.9W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:177pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV88ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:117mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV164ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:640mW€5.8W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@30V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:218mΩ@1.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV37ENER
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV88ENER
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:196pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:117mΩ@2.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR688DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3105pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D43-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:15W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD442
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€60W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@30V
连续漏极电流:7A€37A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV450ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:323mW€554mW
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:101pF@30V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV37ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D77-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€18.8W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@30V
连续漏极电流:3.4A€10.6A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@3.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":180000,"22+":186000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB85ENEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€15.6W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV230ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€1.45W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:177pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D210-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€15W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:110pF@30V
连续漏极电流:2.1A€5.7A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:12A€60A
类型:N沟道
导通电阻:15.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV37ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:710mW€8.3W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV230ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€1.45W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:177pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN40ENAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:652mW€7.5W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@30V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@4.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV55ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:478mW€8.36W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:646pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: