首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 60V
    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 1V@250µA
    当前匹配商品:500+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    ST Mosfet场效应管 STB60NF06LT4 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB60NF06LT4 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB60NF06LT4

    工作温度:-65℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:66nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0U-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0U-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D9UWQ-7 起订49个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D9UWQ-7 起订49个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D9UWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:440mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:28.5pF@30V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6QTA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6QTA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2364EES-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2364EES-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1063pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFB-7B 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFB-7B 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0LFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GTA 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD16NF06LT4 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD16NF06LT4 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16NF06LT4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:40W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:7.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFD-7 起订43个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFD-7 起订43个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0LFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:31pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-7 起订27个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-7 起订27个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFD-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2364EES-T1_BE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2364EES-T1_BE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2364EES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFB-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFB-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0LFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GQTA 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08GQTA 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08GQTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UW-7 起订59个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UW-7 起订59个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-7 起订35个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-7 起订35个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1063pF@30V

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11ZTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A11ZTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A11ZTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@40V

    连续漏极电流:2.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0U-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0U-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D9UWQ-13 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D9UWQ-13 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D9UWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:440mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:28.5pF@30V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-13 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UWQ-13 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UWQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFD-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.55nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:400mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ1464EEH-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:140pF@25V

    连续漏极电流:440mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.41Ω@2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UW-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UW-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0U-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0U-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6QTA 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6QTA 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08E6QTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧