销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C680NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€20W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:327pF@25V
连续漏极电流:7.82A€20A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7246E
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@30V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6266E
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:13.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7262E
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€43W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@30V
连续漏极电流:21A€34A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCU80N06A-TP
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1990pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4266E
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@30V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6262E
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@30V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18536KTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11430pF@30V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS62614T
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.5W€142W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3660pF@30V
连续漏极电流:39A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C680NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€20W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:327pF@25V
连续漏极电流:7.82A€20A
类型:N沟道
导通电阻:26.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532Q5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5070pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7262E
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€43W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@30V
连续漏极电流:21A€34A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7262E
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€43W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@30V
连续漏极电流:21A€34A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4262E
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1652pF@30V
连续漏极电流:16.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@16.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4262E
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1652pF@30V
连续漏极电流:16.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@16.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18541F5T
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:777pF@30V
连续漏极电流:2.2A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: