品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86500DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7680pF@30V
连续漏极电流:29A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11530pF@30V
连续漏极电流:32A€155A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550ET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8235pF@30V
连续漏极电流:32A€245A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80060DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20170pF@30V
连续漏极电流:43A€292A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@43A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86500DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7680pF@30V
连续漏极电流:29A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11530pF@30V
连续漏极电流:32A€155A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86520DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€73W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2790pF@30V
连续漏极电流:17A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD80N6F6
工作温度:-55℃~175℃
功率:120W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7480pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86520DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€73W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2790pF@30V
连续漏极电流:17A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86500DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7680pF@30V
连续漏极电流:29A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86500DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7680pF@30V
连续漏极电流:29A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80060DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20170pF@30V
连续漏极电流:43A€292A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@43A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86520DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€73W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2790pF@30V
连续漏极电流:17A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":6200,"22+":4352,"23+":1600,"MI+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB029N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11530pF@30V
连续漏极电流:32A€155A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11530pF@30V
连续漏极电流:32A€155A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86520DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€73W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2790pF@30V
连续漏极电流:17A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000,"23+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80060DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20170pF@30V
连续漏极电流:43A€292A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@43A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86520DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€73W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2790pF@30V
连续漏极电流:17A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000,"23+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMT80060DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€156W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20170pF@30V
连续漏极电流:43A€292A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@43A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86520DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€73W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2790pF@30V
连续漏极电流:17A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":387,"23+":5575}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550ET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8235pF@30V
连续漏极电流:32A€245A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86500DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7680pF@30V
连续漏极电流:29A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":387,"23+":5575}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550ET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8235pF@30V
连续漏极电流:32A€245A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1868}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550ET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8235pF@30V
连续漏极电流:32A€245A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":6200,"22+":4352,"23+":1600,"MI+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB029N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86500DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:107nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7680pF@30V
连续漏极电流:29A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":6200,"22+":4352,"23+":1600,"MI+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB029N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86520DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€73W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2790pF@30V
连续漏极电流:17A€40A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1868}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86550ET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€187W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:154nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8235pF@30V
连续漏极电流:32A€245A
类型:N沟道
导通电阻:1.65mΩ@32A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: