品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS024N06CT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€28W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:333pF@30V
连续漏极电流:8A€25A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":160500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS020N06CTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@30V
连续漏极电流:7A€27A
类型:N沟道
导通电阻:20.3mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS024N06CT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€28W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:333pF@30V
连续漏极电流:8A€25A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS024N06CT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€28W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:333pF@30V
连续漏极电流:8A€25A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS024N06CT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€28W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:333pF@30V
连续漏极电流:8A€25A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":1875,"13+":53000,"9999":25}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP320SL6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS020N06CTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@30V
连续漏极电流:7A€27A
类型:N沟道
导通电阻:20.3mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":160500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS020N06CTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@30V
连续漏极电流:7A€27A
类型:N沟道
导通电阻:20.3mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":1875,"13+":53000,"9999":25}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP320SL6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP320SH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@20µA
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输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":160500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS020N06CTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
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连续漏极电流:7A€27A
类型:N沟道
导通电阻:20.3mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS024N06CT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€28W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@10V
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输入电容:333pF@30V
连续漏极电流:8A€25A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP320SH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS024N06CT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€28W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@10V
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连续漏极电流:8A€25A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS020N06CTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@20µA
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输入电容:355pF@30V
连续漏极电流:7A€27A
类型:N沟道
导通电阻:20.3mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS020N06CTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@30V
连续漏极电流:7A€27A
类型:N沟道
导通电阻:20.3mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP320SH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP320SH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
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连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS024N06CT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€28W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:333pF@30V
连续漏极电流:8A€25A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS024N06CT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€28W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:333pF@30V
连续漏极电流:8A€25A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP320SH6327XTSA1
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2.9A
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
功率:1.8W
导通电阻:120mΩ@2.9A,10V
输入电容:340pF@25V
阈值电压:4V@20µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS024N06CT1G
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:5.7nC@10V
导通电阻:22mΩ@3A,10V
连续漏极电流:8A€25A
类型:N沟道
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漏源电压:60V
功率:3.4W€28W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS024N06CT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€28W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:333pF@30V
连续漏极电流:8A€25A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP320SH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS020N06CTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€31W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@30V
连续漏极电流:7A€27A
类型:N沟道
导通电阻:20.3mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP320SH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@20µA
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连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP320SH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@20µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP320SH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: