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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC097N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3.3V@14µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€36W
阈值电压：3.3V@14µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSZ100N06NSATMA1
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功率：2.1W€36W
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输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
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导通电阻：10mΩ@20A，10V
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输入电容：1075pF@30V
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类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：46A
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导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
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输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：1075pF@30V
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类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：BSC097N06NSATMA1
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连续漏极电流：46A
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导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSZ100N06NSATMA1
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连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSZ100N06NSATMA1
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栅极电荷：15nC@10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC097N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC097N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5867NLT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
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栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5867NLT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€36W
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栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€36W
阈值电压：3.3V@14µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5867NLT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC097N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC097N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
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行业应用：工业,汽车
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功率：2.1W€36W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
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输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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功率：2.5W€36W
阈值电压：3.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：2.5W€36W
阈值电压：3.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€36W
阈值电压：3.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5867NLT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD5867NLT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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