品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL50N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:10.8A€46.9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:10.6A€37.1A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:10.6A€37.1A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1678}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD26AN06A0-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:7A€36A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@36A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD23N06-31L-T4-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD23N06-31L-T4-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:10.6A€37.1A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD23N06-31L-T4-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€37.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.8A€37A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€37.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.8A€37A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD23N06-31L-T4-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€37.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.8A€37A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W€76W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@30V
连续漏极电流:22A€91A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W€76W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@30V
连续漏极电流:22A€91A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€37.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.8A€37A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€37.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.8A€37A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€37.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.8A€37A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W€76W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@30V
连续漏极电流:22A€91A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL50N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W€76W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@30V
连续漏极电流:22A€91A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W€76W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@30V
连续漏极电流:22A€91A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€37.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.8A€37A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€37.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.8A€37A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1464,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD400N06NGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@28µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@30V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@27A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1678}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD26AN06A0-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:7A€36A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@36A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD23N06-31L-T4-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W€76W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@30V
连续漏极电流:22A€91A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD23N06-31L-T4-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:10.6A€37.1A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: