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    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 60V
    包装方式: 卷带(TR)
    栅极电荷: 27nC@10V
    当前匹配商品:200+
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD053N06NATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD053N06NATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD053N06NATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€83W

    阈值电压:2.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:18A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD053N06NATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD053N06NATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD053N06NATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€83W

    阈值电压:2.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:18A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC039N06NSATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC039N06NSATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC039N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2.8V@36µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4850EY-T1-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB057N06NATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB057N06NATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB057N06NATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€83W

    阈值电压:2.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:17A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4850EY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC039N06NSATMA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC039N06NSATMA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC039N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2.8V@36µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD053N06NATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD053N06NATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD053N06NATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€83W

    阈值电压:2.8V@36µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:18A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC039N06NSATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC039N06NSATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC039N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB057N06NATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB057N06NATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB057N06NATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€83W

    阈值电压:2.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:17A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC039N06NSATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC039N06NSATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC039N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4850EY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB057N06NATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB057N06NATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB057N06NATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€83W

    阈值电压:2.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:17A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB057N06NATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB057N06NATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB057N06NATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€83W

    阈值电压:2.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:17A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC039N06NSATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC039N06NSATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC039N06NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€69W

    阈值电压:2.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订300个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订300个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4850EY-T1-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4850EY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD053N06NATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD053N06NATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD053N06NATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€83W

    阈值电压:2.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:18A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD053N06NATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD053N06NATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD053N06NATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€83W

    阈值电压:2.8V@36µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@30V

    连续漏极电流:18A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-E3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4850EY-T1-E3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4850EY-T1-E3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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