采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6674TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：3.6W€89W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：13.4A€67A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@13.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB090N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@34µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB090N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@34µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6674TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：3.6W€89W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：13.4A€67A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@13.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6674TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：3.6W€89W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：13.4A€67A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@13.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6674TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：3.6W€89W
阈值电压：4.9V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：13.4A€67A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@13.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB090N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@34µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB090N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@34µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18533Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€116W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2750pF@30V
连续漏极电流：17A€100A
类型：N沟道
导通电阻：5.9mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
