品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD140N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:134W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD140N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:134W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA04EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L08CGNTLL
工作温度:150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L08CGNTLL
工作温度:150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L08CGNTLL
工作温度:150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L08CGNTLL
工作温度:150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L08CGNTLL
工作温度:150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA04EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA04EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD140N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:134W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA04EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD140N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:134W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA04EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA04EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA04EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6017SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2711pF@15V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA04EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA04EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L08CGNTLL
工作温度:150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD140N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:134W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA04EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA04EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6017SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2711pF@15V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6017SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2711pF@15V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L08CGNTLL
工作温度:150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L08CGNTLL
工作温度:150℃
功率:96W
阈值电压:2.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@30V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA04EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
连续漏极电流:75A
导通电阻:6.2mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
功率:68W
栅极电荷:55nC@10V
阈值电压:3.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:3500pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L08CGNTLL
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:2600pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:55nC@10V
导通电阻:7.7mΩ@80A,10V
功率:96W
阈值电压:2.5V@50µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L08CGNTLL
连续漏极电流:80A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:2600pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:55nC@10V
导通电阻:7.7mΩ@80A,10V
功率:96W
阈值电压:2.5V@50µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存: