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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：11A€20A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSZ100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：11A€20A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：BSC100N06LS3GATMA1
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功率：2.5W€50W
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栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC100N06LS3GATMA1
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功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
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连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
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连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC100N06LS3GATMA1
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ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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栅极电荷：45nC@10V
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输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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栅极电荷：45nC@10V
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输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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功率：2.5W€50W
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栅极电荷：45nC@10V
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输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSZ100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
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连续漏极电流：11A€20A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSZ100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
栅极电荷：45nC@10V
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输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：11A€20A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：11A€20A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
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行业应用：工业,汽车
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ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：358495，"24+"：2751}
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规格型号(MPN)：BSZ100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：11A€20A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSC100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
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栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：358495，"24+"：2751}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：11A€20A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：11A€20A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：11A€20A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC100N06LS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：2.2V@23µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：12A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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