品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT69M8LFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06VUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06VUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT090N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT69M8LFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06VUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06VUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT69M8LFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT090N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT69M8LFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT69M8LFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT090N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06PUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD45N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2256pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD45N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2256pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06PUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD45N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2256pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD45N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2256pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT090N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD45N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2256pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD45N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2256pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT69M8LFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT090N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT69M8LFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT69M8LFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT69M8LFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD45N06A_L2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:63W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2256pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: