采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC031N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€139W
阈值电压：4V@93µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC028N06NSSCATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：3.3V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3375pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R8-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9710pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM50034EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC0702LSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2400，"21+"：800，"22+"：2400}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK964R2-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11380pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004LPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.6W€138W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4515pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6004SCTBQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.7W€136W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：95.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4556pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R1-60YLX
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7853pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y4R8-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：238W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：73.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5520pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R306PL1，LQ
工作温度：175℃
功率：960mW€210W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1583}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4066-DL-E
工作温度：150℃
功率：1.65W€90W
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12500pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC034N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€74W
阈值电压：3.3V@41µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD034N06N3GATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：167W
阈值电压：4V@93µA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.3V@49µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R506PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：132W
阈值电压：2.5V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5435pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@30A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：109，"23+"：4574，"MI+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：306W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8079pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
栅极电荷：78nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86567-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：82nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4950pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH1R306PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：960mW€170W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8100pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.34mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQM50034EL_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：300000，"23+"：16703，"MI+"：25000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD100N06S403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：128nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10400pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@7.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5130pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R5-60YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3501pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
