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    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 60V
    包装方式: 卷带(TR)
    连续漏极电流: 60A
    当前匹配商品:200+
    商品信息
    参数
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    价格
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    操作
    ST Mosfet场效应管 STB60NF06LT4 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB60NF06LT4 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB60NF06LT4

    工作温度:-65℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:66nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL50N6F7 起订4个装
    ST Mosfet场效应管 STL50N6F7 起订4个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL50N6F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1035pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA62EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA62EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA62EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA02EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA02EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA02EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR688DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR688DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR688DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3105pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH,L1Q 起订4个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH,L1Q 起订4个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R306NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€78W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA62EP-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA62EP-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA62EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR182DP-T1-RE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR182DP-T1-RE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.4W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A 起订9个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A 起订9个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2R306NH,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2R306NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€78W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6100pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB5412NT4G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB5412NT4G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":23200}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB5412NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@0V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA62EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA62EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA62EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R9-60EX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R9-60EX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M9R9-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2007pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR688DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR688DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR688DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3105pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R9-60EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R9-60EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M9R9-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2007pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR664DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR182DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR182DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:69.4W

    阈值电压:3.6V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3250pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA62EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA62EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA62EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5100pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R9-60EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R9-60EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M9R9-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2007pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R9-60EX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M9R9-60EX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M9R9-60EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2007pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60S06K3L(T6L1,NQ 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK60S06K3L(T6L1,NQ 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK60S06K3L(T6L1,NQ

    工作温度:175℃

    功率:88W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18543Q3A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18543Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:66W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.9mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA02EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA02EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA02EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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