品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB60NF06LT4
工作温度:-65℃~175℃
功率:110W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:66nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL50N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA62EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA02EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR688DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3105pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA62EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":23200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB5412NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA62EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M9R9-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2007pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR688DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3105pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M9R9-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2007pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR664DP-T1-GE3
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA62EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M9R9-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2007pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M9R9-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2007pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK60S06K3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:88W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA02EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: