采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：508pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：508pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU20N06A-TP
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：508pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€60W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：620，"21+"：186，"22+"：4476}
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUFA76429D3ST-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：508pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU20N06A-TP
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：508pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€60W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：4V@23µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6040SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL7N6LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：8.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：432pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
