品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP262N7002TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:0.72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@20V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP264N0301TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:0.72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@20V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP262N7002TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@20V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP264N0301TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:0.72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@20V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP262N7002TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@20V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP262N7002TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:0.72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@20V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP262N7002TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:0.72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@20V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP262N7002TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:0.72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@20V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP262N7002TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@20V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP264N0301TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:0.72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@20V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP261N7002TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:0.38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18pF@20V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP262N7002TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@20V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP264N0301TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:0.72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@20V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-D26Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: