采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR688DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SIR688DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：3105pF@30V
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类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
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类型：N沟道
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功率：5.4W€83W
阈值电压：2.7V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
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