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    类型: N沟道
    行业应用: 汽车
    漏源电压: 60V
    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 1.8W
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP295H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@400µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:368pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40SNAX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40SNAX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40SNAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@30V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4,7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP295H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@400µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:368pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP295H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@400µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:368pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40SNAX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40SNAX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40SNAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@30V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4,7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40SNAX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40SNAX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40SNAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@30V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4,7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP295H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@400µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:368pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订300个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订300个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP295H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@400µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:368pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40SNAX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40SNAX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40SNAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@30V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4,7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP320SL6327HTSA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP320SL6327HTSA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":1875,"13+":53000,"9999":25}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP320SL6327HTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@20µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:2.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40SNAX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40SNAX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40SNAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@30V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4,7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1 起订200个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1 起订200个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP295H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@400µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:368pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7850DP-T1-E3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7850DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP295H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@400µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:368pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40SNAX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN40SNAX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN40SNAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.8W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@30V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4,7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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