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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：88.2W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK40S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：88.2W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：88.2W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH9R506PL，LQ
工作温度：175℃
功率：830mW€81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1910pF@30V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：88.2W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：88.2W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：630mW€75W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@27A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH9R506PL，LQ
工作温度：175℃
功率：830mW€81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1910pF@30V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：88.2W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK40S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：88.2W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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