品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C612NT1G-TE
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4830pF@25V
连续漏极电流:35A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2841pF@30V
连续漏极电流:16.3A€70A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS3006TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8970pF@50V
连续漏极电流:195A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@170A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86566-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7749L1TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12320pF@25V
连续漏极电流:33A€200A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@120A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055-100T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7749L1TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12320pF@25V
连续漏极电流:33A€200A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@120A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@31A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL50N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM220NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€68W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1454pF@30V
连续漏极电流:8A€35A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86563-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:357W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:169nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10300pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C612NT1G-TE
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€170W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4830pF@25V
连续漏极电流:35A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF7749L2TR
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€341W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:275nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10655pF@25V
连续漏极电流:36A€345A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@120A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004SCTBQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.7W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:95.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4556pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86563-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:163nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD3055-150T4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€28.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS3006TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8970pF@50V
连续漏极电流:195A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@170A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB86563-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:163nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10100pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF7749L2TR
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€341W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:275nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10655pF@25V
连续漏极电流:36A€345A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@120A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7
工作温度:-55℃~175℃
功率:176W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6655pF@30V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@31A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6010SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:36.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1940pF@30V
连续漏极电流:16.3A€70A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB55NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@27.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6012SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1926pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: