采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：327000，"22+"：5694}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：327000，"22+"：5694}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-60EX
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
功率：15W
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：590pF@30V
导通电阻：43mΩ@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-60EX
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
功率：15W
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：590pF@30V
导通电阻：43mΩ@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
