品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N06S5L032ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@44µA
栅极电荷:51.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3823pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM120N06-3M5L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14700pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS3206TRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6540pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS3306TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4520pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB029N06N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@118µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM50020EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11113pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM120N06-3M5L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14700pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFS3306TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4520pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM120N06-06_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6495pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N06S5N017ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.4V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6952pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":7800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFS3306TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4520pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N06S5L032ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@44µA
栅极电荷:51.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3823pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N06S5N017ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.4V@94µA
栅极电荷:95.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6952pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK962R8-60E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:324W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15600pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9997pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS3306TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4520pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM120N06-3M5L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14700pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM50020EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9600}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFS3206TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6540pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB029N06N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@118µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":6200,"22+":4352,"23+":1600,"MI+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB029N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM50028EM_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N06S5N017ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.4V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6952pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM50020EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11113pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK963R3-60E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:293W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:95nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13490pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK963R3-60E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:293W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:95nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13490pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK763R1-60E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:293W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8920pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9600}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFS3206TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6540pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL225N6F7AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB120N06S402ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15750pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: