采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT007N06NATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.3V@280µA
栅极电荷：287nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@150A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3779，"23+"：302058，"24+"：40063，"MI+"：3075}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT007N06NATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.3V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：287nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@150A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT007N06NATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.3V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：287nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@150A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86561-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13650pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0110N60
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13650pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0110N60
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13650pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0110N60
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13650pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3779，"23+"：302058，"24+"：40063，"MI+"：3075}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT007N06NATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.3V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：287nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@150A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT007N06NATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.3V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：287nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@150A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3779，"23+"：302058，"24+"：40063，"MI+"：3075}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT007N06NATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.3V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：287nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@150A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT007N06NATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.3V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：287nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@150A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT007N06NATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.3V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：287nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@150A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0170N607L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：243nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19250pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@39A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86561-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13650pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0110N60
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13650pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0170N607L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：243nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19250pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@39A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86561-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13650pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT007N06NATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.3V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：287nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@150A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0170N607L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：243nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19250pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@39A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0170N607L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：243nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19250pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@39A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0170N607L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：243nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19250pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.4mΩ@39A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT007N06NATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.3V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：287nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@150A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0110N60
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13650pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86561-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13650pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT007N06NATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.3V@280µA
栅极电荷：287nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@150A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT007N06NATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.3V@280µA
栅极电荷：287nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@150A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86561-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13650pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT007N06NATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：3.3V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：287nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16000pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：0.75mΩ@150A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0110N60
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13650pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0110N60
工作温度：-55℃~175℃
功率：429W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13650pF@30V
连续漏极电流：300A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
