品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€79.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.8V@50µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2193pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.8V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€79.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.8V@50µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€79.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.8V@50µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2118pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2118pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.8V@50µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC028N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:2.8V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@30V
连续漏极电流:23A€100A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€79.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2118pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€79.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€79.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2118pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2118pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€79.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ186DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1710pF@30V
连续漏极电流:23A€79.4A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: