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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6013LFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2577pF@30V
连续漏极电流：10.3A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6013LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2577pF@30V
连续漏极电流：10.3A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN10KN3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6013LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2577pF@30V
连续漏极电流：10.3A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6013LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2577pF@30V
连续漏极电流：10.3A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6013LFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2577pF@30V
连续漏极电流：10.3A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6013LFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2577pF@30V
连续漏极电流：10.3A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6013LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2577pF@30V
连续漏极电流：10.3A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6013LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2577pF@30V
连续漏极电流：10.3A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6013LFGQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2577pF@30V
连续漏极电流：10.3A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6013LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2577pF@30V
连续漏极电流：10.3A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6013LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2577pF@30V
连续漏极电流：10.3A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6013LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2577pF@30V
连续漏极电流：10.3A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6013LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2577pF@30V
连续漏极电流：10.3A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS606NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.3V@15µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：657pF@25V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6013LFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2577pF@30V
连续漏极电流：10.3A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6013LFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2577pF@30V
连续漏极电流：10.3A€45A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
